Уровень:
Послевузовское образование
Тип:
Автореферат
Автор:
Усмонов Жохонгир Нишонбоевич
Год издания:
2021
Номер УДК:
666.3.017
Дата создания:
03.09.2023
Тадқиқотнинг мақсади. GaР ва GaAs асосида янги кўптаркибли, висмут киришма атомлари бўлган қаттиқ қоришмалар ва гетеротузилмаларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш ҳамда уларни олиш оптимал технологик шароитларини аниқлаш