В настоящее время функциональные возможности существующих полупроводниковых материалов для фотоэнергетики практически максимально и достаточно эффективно использованы. Однако независимо от этого эффективность фотоэлементов остаѐтся достаточно низкой, что ограничивает их широкомасштабное использование в наземных условиях, это в основном связанно с неэффективным использованием солнечного излучения с энергией фотонов hv>Eg, за счет эффекта термолизации, а также не возможностью использования ИК спектра Солнца для фотогенерации носителей заряда из-за hv<Eg .