logo
Главная
Библиотека
Кремний, арсенид-галлий, рух-селен, кадмий-олтингугурти асосидаги қаттиқ қоришмаларида киритмаларнинг ўзаро таъсири ва улардан олинган гетероструктураларнинг электрофизик хоссалари
    Кремний, арсенид-галлий, рух-селен, кадмий-олтингугурти асосидаги қаттиқ қоришмаларида киритмаларнинг ўзаро таъсири ва улардан олинган гетероструктураларнинг электрофизик хоссалари
    image
    Уровень:
    Послевузовское образование
    Тип:
    Автореферат
    Автор:
    Усмонов Шукрулло Негматович
    Год издания:
    2018
    Номер УДК:
    621.315.592.3
    Дата создания:
    03.09.2023
    0
    Параметрлари асос яримўтказгич таъсирида ўзгарувчи Si2, GaAs, CdS ва ZnSe киритма молекулаларидан фойдаланган ҳолда Si, Ge, Sn, GaAs, GaSb, InSb, ZnSe ва CdS асосида яратилган қаттиқ қоришмаларнинг электрофизик ва люминесцент хусусиятларини аниқлаш.