logo
Asosiy
Kutubxona
Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари
    image
    Daraja:
    Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
    Tur:
    Avtoreferat
    Muallif:
    Донаев Сардор Бурханович
    Nashr etilgan yili:
    2020
    UDK raqami:
    539.211+539.27+539.216+620.191
    Yaratilgan vaqti:
    03.09.2023
    0
    Тадқиқотнинг мақсади - икки компонентли материалларнинг юзасида ва юза остида наноўлчамли системалар ва қатламларни ҳосил қилиш, уларнинг таркибини, фазавий тузилишини, энергия ҳолатини ҳар томонлама ўрганиш, кузатилган ҳодисаларнинг механизмларини, аниқланган таъсирларни янги қаттиқ жисмли электрон қурилмаларда қўллаш бўйича амалий тавсиялар ишлаб чиқишдан иборат.