logo
Asosiy
Kutubxona
Кремний, арсенид-галлий, рух-селен, кадмий-олтингугурти асосидаги қаттиқ қоришмаларида киритмаларнинг ўзаро таъсири ва улардан олинган гетероструктураларнинг электрофизик хоссалари
    image
    Daraja:
    Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
    Tur:
    Avtoreferat
    Muallif:
    Усмонов Шукрулло Негматович
    Nashr etilgan yili:
    2018
    UDK raqami:
    621.315.592.3
    Yaratilgan vaqti:
    03.09.2023
    0
    Параметрлари асос яримўтказгич таъсирида ўзгарувчи Si2, GaAs, CdS ва ZnSe киритма молекулаларидан фойдаланган ҳолда Si, Ge, Sn, GaAs, GaSb, InSb, ZnSe ва CdS асосида яратилган қаттиқ қоришмаларнинг электрофизик ва люминесцент хусусиятларини аниқлаш.