Filtrlar

Islom Karimov Yuksak ma'naviyat yengilmas kuch

Кремнийли структураларнинг электрофизик хусусиятларига zr, ti ва hf киришмаларининг таъсири


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Далиев Шахрух Хожакбарович
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
621.315.592.2
Yaratilgan vaqti:
2017-10-17 12:48:35
Cиғимли спектроскопия ёрдамида қийин эрувчи Zr, Ti ва Hf атомлари билан легирланган кремнийнинг электрофизик хоссалари ва ушбу элементлар атомларининг кремний таркибидаги аралашмалар билан ўзаро таъсирини, ҳамда кремний асосидаги металл-диэлектрик-яримўтказгич (МДЯ) структураларнинг хоссаларига таъсирини аниқлаш.

Енгил фуллеренлар (С60, С70) эритмаларида молекулаларнинг кластерланиши ва унинг эритмаларнинг оптик ҳамда ночизиқ-оптик хоссаларига таъсири


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Махманов Урол Кудратович
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
546.26.043:535
Yaratilgan vaqti:
2017-10-13 15:34:09
Тадқиқотнинг мақсади С60 ва С70 фуллеренлар молекулаларининг бир ва икки компонентли органик эритувчиларда ўз-ўзидан агрегатланиш жараёнларининг асосий физик қонуниятларини ҳамда уларнинг эритмалар оптик ва ночизиқ-оптик хоссаларига таъсирини аниқлашдан иборат.

Аморф кремний асосли қуёш элементларининг фотогальваник характеристикаларини ҳароратга боғланиши


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Исманова Одинахон Тулкинбаевна
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
621.3.082.782
Yaratilgan vaqti:
2017-10-13 15:33:01
Тадқиқотнинг мақсади гидрогенизацияланган аморф кремний (a-Si:H) асосидаги қуёш элементларининг фотогальваник характеристикалари ни ҳароратга боғлиқлигини назарий аниқлашдан иборат.

Статистик механиканинг Кэли дарахтида берилган классик моделлари учун кучсиз даврий Гиббс ўлчовлар ва асосий ҳолатлар


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Рахматуллаев Музаффар Мухаммаджанович
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
517.98
Yaratilgan vaqti:
2017-10-03 12:02:40
Кэли дарахтида Изинг ва Поттс моделлари учун кучсиз даврий Гиббс ўлчовлари ҳамда асосий ҳолатларнинг мавжудлигини аниқлаш, (кучсиз) даврий бўлмаган лимит Гиббс ўлчовлари синфини топиш, Изинг ва Поттс моделлари учун озод энергияларни ҳисоблашдан иборат.

Стирил бўёқлар ва унга яқин бирикмалар молекулалари фотоникаси


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Курталиев Эльдар Нуриевич
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
535.37:541.14
Yaratilgan vaqti:
2017-09-22 13:50:11
Тадқиқотнинг мақсади. Стирил бўёқлар ва уларга турдош бўлган моддаларнинг турли табиатдаги эритувчилар ва биологик объектлар билан таъсир жараёнида уларнинг спектрал-люминесцент ва фотокимёвий хусу-сиятларининг ҳосил бўлиш табиатини ўрганиш. Қўйилган мақсадга мувофик қуйидагилар тадқиқотнинг вазифалари этиб белгиланди:

Ионлар ва электронларнинг юпқа кристаллардан сочилиши ва ўтиши жараёнларидаги ориентацион эффектлар


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Исаханов Зинаобидин Абилпейзович
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
УДК: 537.533.7.8
Yaratilgan vaqti:
2017-09-21 16:01:55
Жаҳонда бугунги кунда динамикали ривожланаѐтган физик электроника соҳасида муҳим физик муаммолардан бири, зарядли зарраларнинг қаттиқ жисм юзаси ҳамда уларнинг нанопленкалари билан ўзаро таъсирлашувида кузатиладиган жараѐнлар механизмларини аниқлаш имкониятларини ва микроэлектроника, наноэлектроника асбоблари учун маълум физик хоссаларга эга бўлган материалларни ишлаб чиқишдан иборат. Шу нуқтаи назардан юпқа поли- ва монокристалл пленкаларда электрон жараѐнларни тадқиқ этиш муҳим вазифалардан бири бўлиб келмоқда.

Кичик энергияли ионлар билан имплантация қилинган бинар материаллар (Pd–Ba, CoSi2 ва GaAs) сиртининг электрон спектроскопияси ва микроскопияси


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Донаев Сардор Бурханович
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
537.533.7.8
Yaratilgan vaqti:
2017-09-20 14:55:56
Тадқиқотнинг мақсади Pd–Ba, CoSi2 ва GaAs юза қатламларининг кичик энергияли ионлар имплантацияси ва кейинги термик ва лазерли ишлов беришда модификацияланган механизмларнинг ҳамда наноўлчамли тузилмалар ҳосил бўлишининг ўзига хос хусусиятларини комплекс ўрганишдан иборат.

Ион бомбардимон усули билан Мо ва Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Эргашов Ёқуб Сувонович
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
537.533.7.8
Yaratilgan vaqti:
2017-09-20 14:51:24
Тадқиқотнинг мақсади эпитакция ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини очиб беришдан иборат.

Cd(Me)Te и Ga(As, Se, N) кристалларни импульсли ишлов бериш усулларини оптималлаштириш


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Даулетмуратов Борибай Коптлеуович
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
УДК: 621.382.699.782
Yaratilgan vaqti:
2017-09-20 12:03:27
Жаҳонда, бугунги кунда хар хил яримўтказгичларни ва структураларни импульсли лазерли ишлов бериш кенг қўлланилиши муносабати билан фотодиодларни, гамма нурлари ва рентген детекторларини, А2В6 қаттиқ қотишмалар асосидаги инфрақизил сенсорларни тайёрлашда ишлатилувчи лазерли импульсли термик ишлов бериш, тоблаш, юзани тозалаш, лигерлаш, кристаллизацияни ўзгартириш, юпқа катламларни ўтказиш, абляциялаш, юзадан сочиш ва яримўтказгичларни наноструктуралаштириш мухим ахамиятга эга. Бу борада импульсли лазерли индуцирланган қаттиқ ва суюқ фазали лигерлаш истиқболли йўналишлардан бири бўлиб келмоқда.

Ноанъанавий кириндилар билан легирланган кремний ва унинг асосидаги кўпқатламли структуралардаги номувозанатли жараёнлар


  
- 0 +
Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Muallif:
Далиев Хожакбар Султанович
Nashr etilgan yili:
2017
UDK raqami:
621.315.592.2
Yaratilgan vaqti:
2017-09-19 14:25:05
Ўтиш ва ноёб ер элементлар, яъни ноанъанавий киришмалар билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиши жараёнлари ҳамда бу киришмаларнинг кремнийли МДЯ-структуралар ҳусусиятига таъсирини ўрганиш
Xato to‘g‘risida ma‘lum qilish Translit