logo
Асосий
Кутубхона
Термик ва микротўлқинли ишловларни TiBX(ZrBX)– n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диодли структураларнинг электрофизик хоссаларига таъсири
    Термик ва микротўлқинли ишловларни TiBX(ZrBX)– n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диодли структураларнинг электрофизик хоссаларига таъсири
    image
    Даража:
    Олий ўқув юртидан кейинги таълим
    Тури:
    Автореферат
    Муаллиф:
    Абдижалиев Султанбек Каллибекович
    Нашр этилган йили:
    2019
    УДК рақами:
    621.315.592
    Яратилган вақти:
    03.09.2023
    0
    Тадқиқотнинг мақсади - тезлашган термик ишловлар (ТТИ) ва микротўлқин нурланишларни TiBx(ZrBx)–n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диод структураларининг электрик тавсифларига таъсирини тадқиқ этишдан иборат.