logo
Асосий
Кутубхона
GaP ва GaAs асосидаги таркибида висмут атомлари бўлган кўп таркибли гетеротузилмаларнинг физик хоссалари
    image
    Даража:
    Олий ўқув юртидан кейинги таълим
    Тури:
    Автореферат
    Муаллиф:
    Усмонов Жохонгир Нишонбоевич
    Нашр этилган йили:
    2021
    УДК рақами:
    666.3.017
    Яратилган вақти:
    03.09.2023
    0
    Тадқиқотнинг мақсади. GaР ва GaAs асосида янги кўптаркибли, висмут киришма атомлари бўлган қаттиқ қоришмалар ва гетеротузилмаларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш ҳамда уларни олиш оптимал технологик шароитларини аниқлаш