Даража:
Олий ўқув юртидан кейинги таълим
Тури:
Автореферат
Муаллиф:
Усмонов Жохонгир Нишонбоевич
Нашр этилган йили:
2021
УДК рақами:
666.3.017
Яратилган вақти:
03.09.2023
Тадқиқотнинг мақсади. GaР ва GaAs асосида янги кўптаркибли, висмут киришма атомлари бўлган қаттиқ қоришмалар ва гетеротузилмаларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш ҳамда уларни олиш оптимал технологик шароитларини аниқлаш