Даража:
Олий ўқув юртидан кейинги таълим
Тури:
Автореферат
Муаллиф:
Сапаев Иброхим Байрамдурдиевич
Нашр этилган йили:
2018
УДК рақами:
53.043;53.023;539.234
Яратилган вақти:
03.09.2023
n+CdS – nCdS – pSi ва n+CdS – nCdS – nSi-гете-ротузилмалари асосидаги инжекцияли фотодиодларнинг ток ташиш механизмларини ҳамда уларнинг динамик ва статик характеристикаларини изохлайдиган электрон жараёнларни аниқлаш.