p-Si/n-CdS geteroo‘tishli struktura asosidagi injeksion fotoqabulqilgichlarda elektron jarayonlar va fizik-kimyoviy xususiyatlarini, jumladan, geometrik parametrlar, CdS yupqa qatlamining qalinligi va konsentratsiyasi, turli harorat rejimlari hamda ultratovushning tok tashish mexanizmlariga ta’sirini tizimli aniqlash va kompleks tadqiq qilish