Daraja:
Oliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
Tur:
Avtoreferat
Muallif:
Усмонов Жохонгир Нишонбоевич
Nashr etilgan yili:
2021
UDK raqami:
666.3.017
Yaratilgan vaqti:
03.09.2023
Тадқиқотнинг мақсади. GaР ва GaAs асосида янги кўптаркибли, висмут киришма атомлари бўлган қаттиқ қоришмалар ва гетеротузилмаларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш ҳамда уларни олиш оптимал технологик шароитларини аниқлаш