logo
Главная
Библиотека
Термик ва микротўлқинли ишловларни TiBX(ZrBX)– n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диодли структураларнинг электрофизик хоссаларига таъсири
    Термик ва микротўлқинли ишловларни TiBX(ZrBX)– n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диодли структураларнинг электрофизик хоссаларига таъсири
    image
    Уровень:
    Послевузовское образование
    Тип:
    Автореферат
    Автор:
    Абдижалиев Султанбек Каллибекович
    Год издания:
    2019
    Номер УДК:
    621.315.592
    Дата создания:
    03.09.2023
    0
    Тадқиқотнинг мақсади - тезлашган термик ишловлар (ТТИ) ва микротўлқин нурланишларни TiBx(ZrBx)–n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диод структураларининг электрик тавсифларига таъсирини тадқиқ этишдан иборат.