GaP ва GaAs асосидаги таркибида висмут атомлари бўлган кўп таркибли гетеротузилмаларнинг физик хоссалари

Ma‘lumot darajasiOliy o‘quv yurtidan keyingi ta‘lim
TurAvtoreferat
TavsifТадқиқотнинг мақсади. GaР ва GaAs асосида янги кўптаркибли, висмут киришма атомлари бўлган қаттиқ қоришмалар ва гетеротузилмаларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш ҳамда уларни олиш оптимал технологик шароитларини аниқлаш
TilRus tilida,O‘zbek tilida (kir.),Ingliz tilida
Muallif Усмонов Жохонгир Нишонбоевич
Nashr etilgan yili 2021
UDK raqami 666.3.017
Xato to‘g‘risida ma‘lum qilish Translit